RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno -81% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
27
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3491
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link