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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
49
Intorno -17% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
42
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2074
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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