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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
49
Intorno -40% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
35
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2962
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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