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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,066.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
33
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2284
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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