RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
16.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
49
Intorno -81% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
27
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
19.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3909
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link