RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
49
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
23
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3063
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link