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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
49
Intorno -158% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
19
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3314
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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