RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
49
Intorno -113% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
23
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3004
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link