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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
49
Intorno -36% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
36
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
2466
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
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