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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Confronto
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,066.5
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
4,577.1
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,066.5
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
737
3064
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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