RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Confronto
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,001.7
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
45
Intorno -61% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
28
Velocità di lettura, GB/s
4,776.5
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,001.7
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
669
3736
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link