RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
62
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
31
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
3509
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link