RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
62
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
26
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
2955
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link