RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO M418039 8GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs INTENSO M418039 8GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
INTENSO M418039 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO M418039 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
62
Intorno -210% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.4
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO M418039 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
20
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
2414
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
INTENSO M418039 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link