Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Punteggio complessivo
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    31 left arrow 62
    Intorno -100% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.7 left arrow 1,843.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 31
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,556.6 left arrow 11.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,843.6 left arrow 7.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    542 left arrow 1997
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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