RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
62
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
39
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
2782
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link