Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Punteggio complessivo
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 10.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    54 left arrow 62
    Intorno -15% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.2 left arrow 1,843.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 6400
    Intorno 3.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 54
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,556.6 left arrow 10.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,843.6 left arrow 8.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    542 left arrow 2259
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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