RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
62
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
36
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
2227
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link