RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Confronto
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Punteggio complessivo
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
62
Intorno -88% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
1,843.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
33
Velocità di lettura, GB/s
3,556.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,843.6
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
542
3671
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Confronto tra le RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link