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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
27
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
17
Velocità di lettura, GB/s
16.7
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
3550
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
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