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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
16.7
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
3171
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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