RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
27
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
19
Velocità di lettura, GB/s
16.7
20.0
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
3499
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link