RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
16.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
16.7
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
25600
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
3527
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link