RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Confronto
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
14.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
11.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
16.7
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2756
2336
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link