Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 34
    Intorno 21% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 21300
    Intorno 1.2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.7 left arrow 16.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.8 left arrow 12.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2756 left arrow 2584
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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