Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Punteggio complessivo
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    21 left arrow 35
    Intorno -67% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.1 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.8 left arrow 7.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 21
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.8 left arrow 18.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.9 left arrow 14.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2126 left arrow 3087
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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