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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Motivi da considerare
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
35
Intorno -67% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
7.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
21
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2126
3087
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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