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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Motivi da considerare
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
17000
Intorno 1.38 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
22
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
23400
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2126
3512
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Confronto tra le RAM
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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