RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.2
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
7.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
36
Velocità di lettura, GB/s
10.2
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2124
2090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link