RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
30
Velocità di lettura, GB/s
8.6
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
3860
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link