RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
34
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
21
Velocità di lettura, GB/s
8.6
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
3331
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link