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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Motivi da considerare
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
34
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
5.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
32
Velocità di lettura, GB/s
8.6
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1682
3101
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
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