RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3395
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link