RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
24
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2509
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link