RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link