RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
29
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
24
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-036.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8KQB 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link