RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
33
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3286
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link