RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2609
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link