RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
56
Intorno 48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
7.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
4.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
56
Velocità di lettura, GB/s
13.4
7.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
4.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link