RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
45
Velocità di lettura, GB/s
13.4
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link