Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 35
    Intorno 17% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.8 left arrow 13.4
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.5 left arrow 9.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.4 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 12.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2423 left arrow 2927
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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