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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
37
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
37
Velocità di lettura, GB/s
13.4
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2230
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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