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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3866
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Confronto tra le RAM
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Frequency (Mhz) *
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