RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
10.9
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1668
3765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link