Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Kingston HX316C10F/4 4GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 67

Intorno 61% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.8 6.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.3 5.0

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/4 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 10600

Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Kingston HX316C10F/4 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2186 1247

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns