Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB vs Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB

Punteggio complessivo
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Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    48 left arrow 54
    Intorno 11% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 10.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.1 left arrow 1,819.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 5300
    Intorno 3.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U72BP8-Y5 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    48 left arrow 54
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,392.2 left arrow 10.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,819.6 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    542 left arrow 2091
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RAM 2

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