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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Confronto
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
61
Intorno -259% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
1,670.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
17
Velocità di lettura, GB/s
3,529.3
21.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,670.4
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
517
3320
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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