RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
65
Intorno 34% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
2,160.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
65
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
2041
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M393B2K70CM0-YF8 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link