RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
19.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
15.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
43
Intorno -126% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
19
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
3359
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link