RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
21.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
43
Intorno -95% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
22
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
21.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
17.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
4142
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology NT256T64UH4B0FY-37 256MB
PNY Electronics 2GBBEAUDCBA 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link