RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Confronto
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,160.7
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
5,987.5
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,160.7
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
957
3824
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link